تعیین مکانیزم پراکندگی در تک کریستال insb

هدف از این پروژه تعیین مکانیزم پراکندگی در تک کریستال insb نوع n و p می باشد. برای این منظور از دمای 77 درجه کلوین تا 360 درجه کلوین، آزمایش اثر هال را با میدانی به شدت 7900 گوس ، انجام داده و به طور همزمان تغییرات ثابت هال و هدایت الکتریکی و تحرک را نسبت به دما مشخص نموده ایم . همچنین تعیین دمای دبای و مکانیزم پراکندگی از روی منحنی تغییرات تحرک نسبت به دما، تعیین انرژی نوار قدغن و دمای همپوشی از روی منحنی تغییرات هدایت الکتریکی نسبت به دما، تعیین تغییرات چگالی ذرات باردار نسبت به دما و مشخص کردن نوع حاملهای بار از روی تغییرات ثابت هال نسبت به دما انجام گرفته است . آزمایش به روی سه نمونه صورت گرفته است : نمونه اول از نوع (n) با ناخالصی بسیار پایین (n)=9.5x10 14 cm -3 که توسط آزمایش نتایج جالبی را به دست آوردیم . تعیین دمای همپوشی در 200 درجه کلوین، ماکزیمم تحرک در دما 300 درجه کلوین که مقدار آن 65000 cm2/v-sec به دست آمده است . تعیین دمای دبای در 300 درجه کلوین و به دست آوردن مکانیزم پراکندگی به در وصورت متفاوت که ناشی از مکانیزم پراکندگی از اتم یونیزه از دمای 180 درجه کلوین تا 300 درجه کلوین و مکانیزم پراکندگی ناشی از فونون اپتیکی از دمای 300 درجه کلوین تا 360 درجه کلوین وبه دست آوردن انرژی نوار قدغن برابر 0.21 ev از روی نمودار هدایت الکتریکی نسبت به دما، تعیین شده است . نمونه دوم از نوع n با ناخالصی بسیار بالا =2.5 x 10 18 cm -3 [n] که توسط آزمایش نتایج جالبی را به دست آورده ایم . ثابت بودن ثابت هال در این گستره دمایی و کاهش هدایت الکتریکی به علت بالا رفتن سطح فرمی در تراز هدایت که به صورت تبهگن بوده و ثابت بودن تحرک نسبت به دما. نمونه سوم از نوع [p] با ناخالصی بسیار بالا =9.2x10 18 cm -3 [p]، که توسط آزمایش نتایج جالبی را به دست آورده ایم . ثابت بودن ثابت هال در این گستره دمایی و کاهش هدایت الکتریکی به علت بالا رفتن سطح فرمی و کاهش تحرک ناشی از پراکندگی توسط فونونهای آکوستیکی در گستره دمایی 80 درجه کلوین تا 300 درجه کلوین که به صورت تبهگن بوده است ، تعیین شده است .